SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.32 грн |
| 6000+ | 6.76 грн |
| 9000+ | 6.08 грн |
| 30000+ | 5.62 грн |
| 75000+ | 5.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J351R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J351R,LF за ціною від 5.75 грн до 29.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SSM3J351R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V |
на замовлення 116126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J351R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS |
на замовлення 273220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J351R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SSM3J351R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
SSM3J351R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |