SSM3J328R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 768000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 6.06 грн |
| 6000+ | 5.7 грн |
| 9000+ | 5.05 грн |
| 30000+ | 4.68 грн |
| 75000+ | 3.98 грн |
| 150000+ | 3.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J328R,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: SOT-23F, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V.
Інші пропозиції SSM3J328R,LF за ціною від 4.57 грн до 29.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J328R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 3215 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29.8mOhm @ 3A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23F Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V |
на замовлення 769036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
на замовлення 1566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SSM3J328R,LF | Виробник : Toshiba |
MOSFET P-Ch Sm Sig FET Id -6A -20V -8VGSS |
на замовлення 211390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SSM3J328R,LF | Виробник : Toshiba |
SSM3J328R,LF |
на замовлення 220 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SSM3J328R,LF | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R |
товар відсутній |