SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA
Supplier Device Package: USM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SSM3J16FU(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:-, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V, Power Dissipation (Max): 150mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA, Supplier Device Package: USM, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V.
Інші пропозиції SSM3J16FU(TE85L,F) за ціною від 4.86 грн до 28.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SSM3J16FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R |
на замовлення 5569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3J16FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: SMALL LOW RON PCH MOSFETS VDSS:- Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Power Dissipation (Max): 150mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 100µA Supplier Device Package: USM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11 pF @ 3 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SSM3J16FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
| SSM3J16FU(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans MOSFET P-CH Si 20V 0.1A 3-Pin USM T/R |
товар відсутній |