Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > SSM3J134TU,LF
SSM3J134TU,LF

SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J134TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6579&prodName=SSM3J134TU Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
на замовлення 2508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.65 грн
14+ 22.33 грн
100+ 13.38 грн
500+ 11.62 грн
1000+ 7.9 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM3J134TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-SMD, Flat Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA, Supplier Device Package: UFM, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V.

Інші пропозиції SSM3J134TU,LF за ціною від 5.69 грн до 33.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM3J134TU,LF SSM3J134TU,LF Виробник : Toshiba SSM3J134TU_datasheet_en_20140301-1358545.pdf MOSFETs LowON Res MOSFET ID=-3.2A VDSS=-20V
на замовлення 9880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+33.54 грн
14+ 23.12 грн
100+ 10.12 грн
1000+ 8.08 грн
3000+ 6.4 грн
9000+ 6.19 грн
24000+ 5.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
SSM3J134TU,LF SSM3J134TU,LF Виробник : Toshiba 4520docget.jsplangenpidssm3j134tutypedatasheet.jsplangenpidssm3j134tu.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
товар відсутній
SSM3J134TU,LF SSM3J134TU,LF Виробник : Toshiba 4520docget.jsplangenpidssm3j134tutypedatasheet.jsplangenpidssm3j134tu.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
товар відсутній
SSM3J134TU,LF Виробник : Toshiba 4520docget.jsplangenpidssm3j134tutypedatasheet.jsplangenpidssm3j134tu.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 3.2A 3-Pin UFM T/R
товар відсутній
SSM3J134TU,LF SSM3J134TU,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J134TU_datasheet_en_20140301.pdf?did=6579&prodName=SSM3J134TU Description: MOSFET P-CH 20V 3.2A UFM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: UFM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
товар відсутній