Продукція > TOSHIBA > SSM10N961L,ELF
SSM10N961L,ELF

SSM10N961L,ELF Toshiba

SSM10N961L_datasheet_en_20230626-3314042.pdf Виробник: Toshiba
MOSFET 30V N-ch Common drain FET Rss:9.9mOhm Vgs: 10V Pd:0.88W Pkg: TCSPAG
на замовлення 19698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.14 грн
10+ 57.16 грн
100+ 34.46 грн
500+ 28.77 грн
1000+ 22.16 грн
2500+ 21 грн
10000+ 20 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SSM10N961L,ELF Toshiba

Description: 30V N-CH COMMON DRAIN FET RSS:9., Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 10-XFLGA, CSP, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: 150°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 880mW (Ta), Drain to Source Voltage (Vdss): 30V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, Supplier Device Package: TCSPAG-341501.

Інші пропозиції SSM10N961L,ELF за ціною від 20.03 грн до 62.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SSM10N961L,ELF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage detail.SSM10N961L.html Description: 30V N-CH COMMON DRAIN FET RSS:9.
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.25 грн
10+ 52.23 грн
100+ 36.16 грн
500+ 28.35 грн
1000+ 24.13 грн
2000+ 21.49 грн
5000+ 20.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
SSM10N961L,ELF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage detail.SSM10N961L.html Description: 30V N-CH COMMON DRAIN FET RSS:9.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-XFLGA, CSP
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 880mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TCSPAG-341501
товар відсутній