![SS9012GTA SS9012GTA](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/8953e35249337f9a3e3b5195ff85c061c6ea26f9/to-92-3.jpg)
SS9012GTA ON Semiconductor
на замовлення 11922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
334+ | 1.8 грн |
480+ | 1.25 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SS9012GTA ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 20V 0.5A TO92-3, Packaging: Tape & Box (TB), Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V, Supplier Device Package: TO-92-3, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V, Power - Max: 625 mW.
Інші пропозиції SS9012GTA за ціною від 1.8 грн до 15.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SS9012GTA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
SS9012GTA | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
SS9012GTA | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
SS9012-GTA |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
SS9012GTA |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
SS9012GTA | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
SS9012GTA | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
SS9012GTA | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 112 @ 50mA, 1V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 625 mW |
товар відсутній |
|||||||||||
SS9012GTA | Виробник : Shindengen |
![]() |
товар відсутній |