SS1F4HM3/I Vishay General Semiconductor
на замовлення 17138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.8 грн |
| 14+ | 24.2 грн |
| 100+ | 10.66 грн |
| 1000+ | 7.39 грн |
| 2500+ | 6.62 грн |
| 10000+ | 5.09 грн |
| 50000+ | 4.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SS1F4HM3/I Vishay General Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-219AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-219AB (SMF), Operating Temperature - Junction: 175°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V.
Інші пропозиції SS1F4HM3/I
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SS1F4HM3/I | Виробник : Vishay |
 Diode Schottky 40V 1A Automotive 2-Pin SMF T/R |
товар відсутній |
|
 |
SS1F4HM3/I | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 1A DO219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 85pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-219AB (SMF) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 520 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 40 V |
товар відсутній |