SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 27.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 27.59 грн |
6000+ | 25.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQS966ENW-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 27.8W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQS966ENW-T1_GE3 за ціною від 24.12 грн до 71.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SQS966ENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6A PWRPAK1212 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 1212-8W Dual Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 27.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 572pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 1.25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8W Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 8641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQS966ENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W |
на замовлення 41000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQS966ENW-T1_GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerPAK 1212-W EP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |