Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM90142E_GE3
SQM90142E_GE3

SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix

sqm90142e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+117.33 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM90142E_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM90142E_GE3 за ціною від 88.29 грн до 228.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002923581-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 95 A, 0.0127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+130.24 грн
500+ 112.97 грн
1000+ 96.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm90142e.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 95A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+194.78 грн
10+ 157.08 грн
100+ 127.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqm90142e.pdf MOSFETs 200V Vds 95A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 4346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+211.69 грн
10+ 175.09 грн
25+ 148.78 грн
100+ 123.75 грн
250+ 120.27 грн
500+ 102.89 грн
800+ 88.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0002923581-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQM90142E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 95 A, 0.0127 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+228.51 грн
10+ 160.66 грн
100+ 130.24 грн
500+ 112.97 грн
1000+ 96.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Виробник : Vishay sqm90142e.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Виробник : Vishay sqm90142e.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 95A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
SQM90142E_GE3 SQM90142E_GE3 Виробник : Vishay sqm90142e.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній