Продукція > VISHAY SILICONIX > SQM60N20-35_GE3
SQM60N20-35_GE3

SQM60N20-35_GE3 Vishay Siliconix

sqm60n20-35.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+148.26 грн
1600+ 122.25 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM60N20-35_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQM60N20-35_GE3 за ціною від 111.75 грн до 267.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQM60N20-35_GE3 SQM60N20-35_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm60n20-35.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+245.58 грн
10+ 198.56 грн
100+ 160.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM60N20-35_GE3 SQM60N20-35_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqm60n20-35.pdf MOSFET N-Channel 200V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.32 грн
10+ 220.66 грн
25+ 186.96 грн
100+ 155.33 грн
250+ 151.11 грн
500+ 138.46 грн
800+ 111.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQM60N20-35_GE3 SQM60N20-35_GE3 Виробник : Vishay sqm60n20-35.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 60A Automotive
товар відсутній
SQM60N20-35-GE3 SQM60N20-35-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT SQM60N20-35_GE3
товар відсутній