Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SQM60030E_GE3
SQM60030E_GE3

SQM60030E_GE3 Vishay Semiconductors

sqm60030e.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N Ch 80Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14118 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.14 грн
10+ 207.07 грн
25+ 175.19 грн
100+ 150.17 грн
250+ 145.3 грн
500+ 134.18 грн
800+ 115.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQM60030E_GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 375W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: D²PAK (TO-263), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQM60030E_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQM60030E_GE3 SQM60030E_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm60030e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товар відсутній
SQM60030E_GE3 SQM60030E_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqm60030e.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товар відсутній