SQJQ910EL-T1_GE3

SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay / Siliconix


sqjq910el.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 100V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
на замовлення 67698 шт:

термін постачання 841-850 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.86 грн
10+ 160.62 грн
100+ 111.45 грн
500+ 94.52 грн
1000+ 79.71 грн
2000+ 76.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ910EL-T1_GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 187W, Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual.

Інші пропозиції SQJQ910EL-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJQ910EL-T1_GE3
Код товару: 151182
sqjq910el.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SQJQ910EL-T1_GE3 SQJQ910EL-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq910el.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
товар відсутній
SQJQ910EL-T1_GE3 SQJQ910EL-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq910el.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 70A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
товар відсутній
SQJQ910EL-T1_GE3 SQJQ910EL-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq910el.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
товар відсутній
SQJQ910EL-T1_GE3 SQJQ910EL-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq910el.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 70A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 187W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2832pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual
товар відсутній