SQJQ904E-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SQJQ904E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 135W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 135W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 193.08 грн |
| 10+ | 136.1 грн |
| 100+ | 109.99 грн |
| 500+ | 96.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ904E-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ904E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 135W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 135W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).
Інші пропозиції SQJQ904E-T1_GE3 за ціною від 95.95 грн до 223.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJQ904E-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 75W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJQ904E-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 4658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJQ904E-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET Dual N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 2294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
SQJQ904E-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 100A PPAK8X8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 75W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |