Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ466E-T1_GE3
SQJQ466E-T1_GE3

SQJQ466E-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq466e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+93.93 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ466E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJQ466E-T1_GE3 за ціною від 90.15 грн до 206.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJQ466E-T1_GE3 SQJQ466E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq466e.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 200A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10210 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.05 грн
10+ 156.07 грн
100+ 126.21 грн
500+ 105.28 грн
1000+ 90.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJQ466E-T1_GE3 SQJQ466E-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqjq466e.pdf MOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.56 грн
10+ 171.16 грн
25+ 144.61 грн
100+ 120.62 грн
250+ 117.09 грн
500+ 107.92 грн
1000+ 91.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJQ466E-T1_GE3 SQJQ466E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq466e.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 200A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
товар відсутній