Продукція > VISHAY > SQJQ142E-T1_GE3
SQJQ142E-T1_GE3

SQJQ142E-T1_GE3 VISHAY

3164656.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ142E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 0.001 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+109.2 грн
500+ 92.58 грн
1000+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ142E-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJQ142E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 0.001 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 460A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: PowerPAK, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQJQ142E-T1_GE3 за ціною від 70.54 грн до 200.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJQ142E-T1_GE3 SQJQ142E-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqjq142e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 9346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+185.17 грн
10+ 152.51 грн
100+ 105.81 грн
250+ 97.34 грн
500+ 88.88 грн
1000+ 76.18 грн
2000+ 70.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJQ142E-T1_GE3 SQJQ142E-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3164656.pdf Description: VISHAY - SQJQ142E-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 460 A, 0.001 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 460A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+200.99 грн
10+ 148.77 грн
100+ 109.2 грн
500+ 92.58 грн
1000+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJQ142E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq142e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+77.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SQJQ142E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq142e.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 460A PPAK 8 X 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6975 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+172.45 грн
10+ 137.92 грн
100+ 109.78 грн
500+ 87.17 грн
1000+ 73.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJQ142E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq142e.pdf Trans MOSFET N-CH 40V 460A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK T/R
товар відсутній