![SQJQ141EL-T1_GE3 SQJQ141EL-T1_GE3](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3586059-40.jpg)
SQJQ141EL-T1_GE3 VISHAY
![3296212.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 0.0014 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 390A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 600W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 157.92 грн |
500+ | 134.3 грн |
1000+ | 105.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJQ141EL-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ141EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 390 A, 0.0014 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 390A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 600W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600W, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0014ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SQJQ141EL-T1_GE3 за ціною від 100.98 грн до 268.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 11108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 390A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: PowerPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0014ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 1707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
![]() |
SQJQ141EL-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® 8 x 8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 731 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 62190 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |