Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJQ140E-T1_GE3
SQJQ140E-T1_GE3

SQJQ140E-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqjq140e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 701A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+113.45 грн
6000+ 104.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJQ140E-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S), Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® 8 x 8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 701A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.53mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQJQ140E-T1_GE3 за ціною від 108.89 грн до 250.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJQ140E-T1_GE3 SQJQ140E-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjq140e.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 8 x 8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 701A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.53mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17000 pF @ 25 V
на замовлення 9656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+233.41 грн
10+ 188.45 грн
100+ 152.45 грн
500+ 127.17 грн
1000+ 108.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJQ140E-T1_GE3 SQJQ140E-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqjq140e.pdf MOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 7673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.92 грн
10+ 207.73 грн
25+ 175.01 грн
100+ 146.19 грн
250+ 141.98 грн
500+ 130.03 грн
1000+ 111.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQJQ140E-T1_GE3 Виробник : Vishay sqjq140e.pdf Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175C MOSFET PowerPAK 8 x 8L, 0.53 m @ 10V
товар відсутній