SQJB80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 36.9 грн |
| 6000+ | 33.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJB80EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 48W, Drain to Source Voltage (Vdss): 80V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJB80EP-T1_GE3 за ціною від 33.1 грн до 95.94 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SQJB80EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 80V 30A PPAK SO8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 48W Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7735 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJB80EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 13928 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|