на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 24.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJB70EP-T1_GE3 Vishay
Category: Multi channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8, Type of transistor: N-MOSFET x2, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 6.5A, Power dissipation: 9W, Case: PowerPAK® SO8, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 95mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SQJB70EP-T1_GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJB70EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
 MOSFET Dual N-Ch 100V AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 3922 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SQJB70EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Power dissipation: 9W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| SQJB70EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.5A; 9W; PowerPAK® SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 6.5A Power dissipation: 9W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |