Продукція > VISHAY > SQJB42EP-T1_GE3
SQJB42EP-T1_GE3

SQJB42EP-T1_GE3 VISHAY

sqjb42ep.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJB42EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0079 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0079ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 48W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0079ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 48W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 20650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+84.37 грн
13+ 64.97 грн
100+ 47.15 грн
500+ 37.12 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJB42EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJB42EP-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 30 A, 30 A, 0.0079 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 30A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0079ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 48W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: PowerSO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0079ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 48W, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQJB42EP-T1_GE3 за ціною від 32.33 грн до 99.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJB42EP-T1_GE3 SQJB42EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqjb42ep.pdf MOSFET Dual N-Channel 40V PowerPAK
на замовлення 33002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.94 грн
10+ 77.43 грн
100+ 52.36 грн
500+ 44.35 грн
1000+ 36.13 грн
3000+ 33.53 грн
6000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJB42EP-T1_GE3 SQJB42EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjb42ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.6 грн
10+ 85.59 грн
100+ 66.75 грн
500+ 51.75 грн
1000+ 40.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJB42EP-T1_GE3 SQJB42EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqjb42ep.pdf Description: MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 48W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Active
товар відсутній