Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SQJA86EP-T1_GE3
SQJA86EP-T1_GE3

SQJA86EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors

sqja86ep.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 80V Vds 30A Id AEC-Q101 Qualified
на замовлення 14474 шт:
термін постачання 648-657 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+78.43 грн
10+ 61.8 грн
100+ 43.59 грн
500+ 38.79 грн
1000+ 32.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJA86EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SQJA86EP-T1_GE3 за ціною від 41.34 грн до 79.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJA86EP-T1_GE3 SQJA86EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja86ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.72 грн
10+ 68.36 грн
100+ 53.32 грн
500+ 41.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJA86EP-T1_GE3 SQJA86EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqja86ep.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товар відсутній