![SQJ960EP-T1_GE3 SQJ960EP-T1_GE3](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/PowerPAK_SO_8L_Dual_SPL.jpg)
SQJ960EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 80248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 157.35 грн |
10+ | 129.52 грн |
100+ | 88.99 грн |
250+ | 82.73 грн |
500+ | 75.08 грн |
1000+ | 64.1 грн |
3000+ | 60.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ960EP-T1_GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET 2N-CH 60V 8A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 34W, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual, Part Status: Active.
Інші пропозиції SQJ960EP-T1_GE3 за ціною від 72.5 грн до 163.19 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SQJ960EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
на замовлення 2545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
SQJ960EP-T1_GE3 Код товару: 186737 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
![]() |
SQJ960EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
SQJ960EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 34W Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 735pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.3A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual Part Status: Active |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
SQJ960EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товар відсутній |