Продукція > VISHAY > SQJ840EP-T1_GE3
SQJ840EP-T1_GE3

SQJ840EP-T1_GE3 VISHAY


Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 41 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+88.31 грн
11+ 77.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ840EP-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQJ840EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 46W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQJ840EP-T1_GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ840EP-T1-GE3 SQJ840EP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj840ep.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
товар відсутній
SQJ840EP-T1_GE3 SQJ840EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj840ep-109489.pdf MOSFET 30V 30A 46W AEC-Q101 Qualified
товар відсутній