Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ488EP-T1_GE3
SQJ488EP-T1_GE3

SQJ488EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj488ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+48.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ488EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ488EP-T1_GE3 за ціною від 45.94 грн до 125.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj488ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
197+62.14 грн
Мінімальне замовлення: 197
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj488ep.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 7.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 979 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+106.83 грн
10+ 85.68 грн
100+ 68.19 грн
500+ 54.15 грн
1000+ 45.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj488ep.pdf MOSFET 100V 32A 27watt AEC-Q101 Qualified
на замовлення 20968 шт:
термін постачання 751-760 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.68 грн
10+ 104.64 грн
100+ 73.36 грн
500+ 59.54 грн
1000+ 49.38 грн
3000+ 46.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj488ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 6073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+125.83 грн
10+ 112.49 грн
25+ 108.9 грн
50+ 99.69 грн
100+ 82.6 грн
250+ 76.55 грн
500+ 66.28 грн
1000+ 58.37 грн
3000+ 56.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ488EP-T1_GE3 SQJ488EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj488ep.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 42A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній