Продукція > VISHAY > SQJ464EP-T1_GE3
SQJ464EP-T1_GE3

SQJ464EP-T1_GE3 Vishay


sqj464ep.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 32A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+26.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ464EP-T1_GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SQJ464EP-T1_GE3 за ціною від 24.5 грн до 73.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ464EP-T1_GE3 SQJ464EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj464ep.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ464EP-T1_GE3 SQJ464EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj464ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+28 грн
6000+ 25.68 грн
9000+ 24.5 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ464EP-T1_GE3 SQJ464EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj464ep.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 32A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ464EP-T1_GE3 SQJ464EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj464ep.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2086 pF @ 30 V
на замовлення 11695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.67 грн
10+ 53.37 грн
100+ 41.48 грн
500+ 33 грн
1000+ 26.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ464EP-T1_GE3 SQJ464EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj464ep.pdf MOSFET N-Chnl 60-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 87637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.96 грн
10+ 59.57 грн
100+ 40.27 грн
500+ 34.16 грн
1000+ 27.83 грн
3000+ 26.15 грн
6000+ 24.88 грн
Мінімальне замовлення: 5