SQJ463EP-T1_GE3 Vishay
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 61.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ463EP-T1_GE3 Vishay
Description: VISHAY - SQJ463EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40, Dauer-Drainstrom Id: 18, hazardous: false, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 1.9, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.9, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SQJ463EP-T1_GE3 за ціною від 85.65 грн до 255.59 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
SQJ463EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay | SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQJ463EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay | SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQJ463EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Anzahl der Pins: 8Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm |
на замовлення 2363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQJ463EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ423EP-T1_GE3 |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQJ463EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ463EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SQJ463EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 40V 30A 83W P-Ch Automotive |
на замовлення 1377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SQJ463EP-T1-GE3 Код товару: 170979 |
Транзистори > Польові P-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
SQJ463EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SQJ463EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5875 pF @ 20 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SQJ463EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay | Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SQJ463EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SQJ463EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -30A; Idm: -120A; 28W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -30A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 28W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SQJ463EP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ463EP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 18 A, 0.008 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 18 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1.9 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.9 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.008 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008 SVHC: To Be Advised |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SQJ463EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay | SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SQJ463EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay | SQJ463EP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO - Arrow.com |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
SQJ463EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -30A; Idm: -120A; 28W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -40V Drain current: -30A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 28W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: SMD Gate charge: 150nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |