SQJ461EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 95.91 грн |
| 6000+ | 88.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ461EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ461EP-T1_GE3 за ціною від 91 грн до 218.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQJ461EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 2787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ461EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 14.4A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4710 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
SQJ461EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R |
на замовлення 2787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ461EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 60V 30A 83W AEC-Q101 Qualified |
на замовлення 17503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SQJ461EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SQJ461EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; Idm: -120A; 27W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -30A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 27W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SQJ461EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 60V 30A 8-SO |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
SQJ461EP-T1-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQJ461EP-T1_GE3 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SQJ461EP-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -30A; Idm: -120A; 27W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -30A Pulsed drain current: -120A Power dissipation: 27W Case: PowerPAK® SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: SMD Gate charge: 0.14µC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Application: automotive industry |
товар відсутній |