Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ433EP-T1_GE3
SQJ433EP-T1_GE3

SQJ433EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj433ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+38.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ433EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ433EP-T1_GE3 за ціною від 34.57 грн до 102.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ433EP-T1_GE3 SQJ433EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj433ep.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4877 pF @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+93.48 грн
10+ 73.61 грн
100+ 57.22 грн
500+ 45.52 грн
1000+ 37.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ433EP-T1_GE3 SQJ433EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj433ep.pdf MOSFET P Ch -30Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+102.45 грн
10+ 82.55 грн
100+ 55.96 грн
500+ 47.39 грн
1000+ 38.61 грн
3000+ 36.31 грн
6000+ 34.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ433EP-T1_GE3 SQJ433EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj433ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 75A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
товар відсутній
SQJ433EP-T1_GE3 SQJ433EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj433ep.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній