Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ431EP-T1_GE3
SQJ431EP-T1_GE3

SQJ431EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj431ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+60.37 грн
6000+ 55.95 грн
9000+ 54.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ431EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.178 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SQJ431EP-T1_GE3 за ціною від 56.15 грн до 144.84 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431ep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+61.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431ep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+62.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001236157-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.178 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
на замовлення 19768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+86.25 грн
500+ 73.26 грн
1000+ 58.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431ep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+86.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431ep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+105.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj431ep.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 213mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4355 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.53 грн
10+ 107.13 грн
100+ 85.23 грн
500+ 67.68 грн
1000+ 57.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj431ep.pdf Description: VISHAY - SQJ431EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 12 A, 0.178 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 32446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+133.73 грн
50+ 114.74 грн
100+ 95.75 грн
500+ 69.88 грн
1500+ 63.21 грн
Мінімальне замовлення: 6
SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj431ep.pdf MOSFET -200v -12A 83W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 56827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.84 грн
10+ 118.44 грн
100+ 81.83 грн
250+ 75.48 грн
500+ 68.92 грн
1000+ 59.18 грн
3000+ 56.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431ep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQJ431EP-T1_GE3 SQJ431EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj431ep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SQJ431EPT1-GE3
на замовлення 170 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SQJ431EP-T1-GE3 SQJ431EP-T1-GE3 Виробник : Vishay sqj431ep.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 12A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній
SQJ431EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj431ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 527mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SQJ431EP-T1-GE3 SQJ431EP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT SQJ431EP-T1_GE3
товар відсутній
SQJ431EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY sqj431ep.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -12A; Idm: -40A; 27W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -12A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 27W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 527mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 106nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Application: automotive industry
товар відсутній