![SQJ420EP-T1_GE3 SQJ420EP-T1_GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2501/742; 5976 Single; DP; 8.jpg)
SQJ420EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
![sqj420ep.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 59.3 грн |
10+ | 46.34 грн |
100+ | 36.07 грн |
500+ | 28.69 грн |
1000+ | 23.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ420EP-T1_GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ420EP-T1_GE3 за ціною від 24.32 грн до 64.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQJ420EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 29013 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SQJ420EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SQJ420EP-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9.7A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1860 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |