Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ415EP-T1_GE3
SQJ415EP-T1_GE3

SQJ415EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

sqj415ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+28.35 грн
6000+ 26 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ415EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ415EP-T1_GE3 за ціною від 24.05 грн до 82.3 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj415ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
348+35.18 грн
Мінімальне замовлення: 348
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2611861.pdf Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+45.97 грн
500+ 36.3 грн
1000+ 25.57 грн
5000+ 24.21 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj415ep.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.67 грн
10+ 54.01 грн
100+ 42 грн
500+ 33.41 грн
1000+ 27.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj415ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+71.22 грн
11+ 58.78 грн
25+ 58.32 грн
50+ 54.31 грн
100+ 41.05 грн
250+ 39.18 грн
500+ 33.5 грн
1000+ 25.54 грн
3000+ 24.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj415ep.pdf MOSFET -40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 4236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.49 грн
10+ 59.46 грн
100+ 40.21 грн
500+ 34.14 грн
1000+ 27.79 грн
3000+ 26.1 грн
6000+ 24.83 грн
Мінімальне замовлення: 5
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 2611861.pdf Description: VISHAY - SQJ415EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 30 A, 0.0115 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
на замовлення 6190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+82.3 грн
13+ 64.25 грн
100+ 45.97 грн
500+ 36.3 грн
1000+ 25.57 грн
5000+ 24.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
SQJ415EP-T1_GE3 SQJ415EP-T1_GE3 Виробник : Vishay sqj415ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товар відсутній