Продукція > VISHAY SILICONIX > SQJ409EP-T2_GE3
SQJ409EP-T2_GE3

SQJ409EP-T2_GE3 Vishay Siliconix

sqj409ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+41.58 грн
6000+ 38.14 грн
9000+ 36.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ409EP-T2_GE3 Vishay Siliconix

Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції SQJ409EP-T2_GE3 за ціною від 36.97 грн до 109.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ409EP-T2_GE3 SQJ409EP-T2_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj409ep.pdf Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+100.36 грн
10+ 79.22 грн
100+ 61.6 грн
500+ 49 грн
1000+ 39.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ409EP-T2_GE3 SQJ409EP-T2_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqj409ep.pdf MOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 48863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+109.06 грн
10+ 88.91 грн
100+ 59.81 грн
500+ 50.75 грн
1000+ 40.77 грн
3000+ 38.38 грн
6000+ 36.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ409EP-T2_GE3 Виробник : Vishay sqj409ep.pdf Automotive P-Channel
товар відсутній
SQJ409EP-T2_GE3 SQJ409EP-T2_GE3 Виробник : Vishay sqj409ep.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO EP T/R
товар відсутній
SQJ409EP-T2/GE3 Виробник : Vishay MOSFET
товар відсутній