![SQJ409EP-T2_GE3 SQJ409EP-T2_GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4538/MFG_PowerPAK-SO-8L-Single.jpg)
SQJ409EP-T2_GE3 Vishay Siliconix
![sqj409ep.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 41.58 грн |
6000+ | 38.14 грн |
9000+ | 36.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQJ409EP-T2_GE3 Vishay Siliconix
Description: P-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQJ409EP-T2_GE3 за ціною від 36.97 грн до 109.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQJ409EP-T2_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: PowerPAK® SO-8 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 19150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQJ409EP-T2_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 48863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SQJ409EP-T2_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
SQJ409EP-T2_GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
SQJ409EP-T2/GE3 | Виробник : Vishay | MOSFET |
товар відсутній |