SQJ184EP-T1_GE3

SQJ184EP-T1_GE3 Vishay Siliconix


sqj184ep.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3478 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+38.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQJ184EP-T1_GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SQJ184EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 118A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 234W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2022).

Інші пропозиції SQJ184EP-T1_GE3 за ціною від 29.27 грн до 91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQJ184EP-T1_GE3 SQJ184EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sqj184ep.pdf MOSFET
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.6 грн
10+ 70.6 грн
100+ 47.76 грн
500+ 40.46 грн
1000+ 34.62 грн
3000+ 29.27 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ184EP-T1_GE3 SQJ184EP-T1_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqj184ep.pdf Description: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 234W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3478 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91 грн
10+ 78.07 грн
100+ 60.86 грн
500+ 47.18 грн
1000+ 37.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
SQJ184EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3960321.pdf Description: VISHAY - SQJ184EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+35.02 грн
500+ 32.3 грн
1000+ 29.55 грн
5000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
SQJ184EP-T1_GE3 Виробник : VISHAY 3960321.pdf Description: VISHAY - SQJ184EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 118 A, 0.0075 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+35.56 грн
23+ 35.33 грн
100+ 35.02 грн
500+ 32.3 грн
1000+ 29.55 грн
5000+ 29.35 грн
Мінімальне замовлення: 22