Продукція > VISHAY > SQD50P04-13L_GE3
SQD50P04-13L_GE3

SQD50P04-13L_GE3 Vishay


sqd50p04-13l.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+127.58 грн
4000+ 123.09 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD50P04-13L_GE3 Vishay

Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SQD50P04-13L_GE3 за ціною від 91.99 грн до 219.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQD50P04-13L_GE3 SQD50P04-13L_GE3 Виробник : Vishay sqd50p04-13l.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+137.39 грн
4000+ 132.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SQD50P04-13L_GE3 SQD50P04-13L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50p04-13l.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.72 грн
10+ 159.17 грн
100+ 128.79 грн
500+ 107.43 грн
1000+ 91.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQD50P04-13L_GE3 SQD50P04-13L_GE3 Виробник : Vishay sqd50p04-13l.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+207.72 грн
4000+ 190.73 грн
8000+ 178.4 грн
12000+ 163.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SQD50P04-13L_GE3 SQD50P04-13L_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd50p04-13l.pdf MOSFETs 40V 50A 83W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 13662 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+219.78 грн
10+ 182.47 грн
25+ 149.25 грн
100+ 128.24 грн
250+ 121 грн
500+ 113.75 грн
1000+ 97.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
SQD50P04-13L_GE3
Код товару: 185273
sqd50p04-13l.pdf Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
SQD50P04-13L_GE3 SQD50P04-13L_GE3 Виробник : Vishay sqd50p04-13l.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
SQD50P04-13L_GE3 SQD50P04-13L_GE3 Виробник : Vishay sqd50p04-13l.pdf Trans MOSFET P-CH 40V 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
SQD50P04-13L-GE3 SQD50P04-13L-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50p04-13l.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
товар відсутній
SQD50P04-13L_GE3 SQD50P04-13L_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd50p04-13l.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3590 pF @ 20 V
товар відсутній
SQD50P04-13L-GE3 SQD50P04-13L-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd50p04-13l.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT SQD50P04-13L_GE3
товар відсутній