![SQD50N04-5m6_T4GE3 SQD50N04-5m6_T4GE3](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4848/MFG_742_TO-252.jpg)
SQD50N04-5m6_T4GE3 Vishay Siliconix
![sqd50n04-5m6.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 46.65 грн |
5000+ | 42.78 грн |
12500+ | 40.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQD50N04-5m6_T4GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 71W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції SQD50N04-5m6_T4GE3 за ціною від 40.91 грн до 121.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQD50N04-5m6_T4GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 42117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SQD50N04-5m6_T4GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SQD50N04-5M6-T4GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
SQD50N04-5M6-T4GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQD50N04-5M6T4GE |
товар відсутній |