Продукція > VISHAY > SQD40020EL_GE3
SQD40020EL_GE3

SQD40020EL_GE3 VISHAY

sqd40020el.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+105.65 грн
11+ 77.58 грн
100+ 59.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQD40020EL_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQD40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 107W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SQD40020EL_GE3 за ціною від 40.41 грн до 120.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQD40020EL_GE3 SQD40020EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd40020el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.52 грн
10+ 88.81 грн
100+ 69.09 грн
500+ 54.96 грн
1000+ 44.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQD40020EL_GE3 SQD40020EL_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sqd40020el.pdf MOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 7963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+120.54 грн
10+ 93.76 грн
100+ 66 грн
500+ 55.88 грн
1000+ 45.47 грн
2000+ 42.03 грн
4000+ 40.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
SQD40020EL_GE3 SQD40020EL_GE3 Виробник : Vishay Siliconix sqd40020el.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 100A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній