SQA470EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.53 грн |
| 11+ | 31.88 грн |
| 100+ | 21.09 грн |
| 500+ | 17.21 грн |
| 1000+ | 14.11 грн |
| 3000+ | 12.7 грн |
| 9000+ | 11.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQA470EEJ-T1_GE3 Vishay / Siliconix
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.25A; 13.6W; PowerPAK® SC70, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 30V, Drain current: 2.25A, Power dissipation: 13.6W, Case: PowerPAK® SC70, Gate-source voltage: ±12V, On-state resistance: 56mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.1nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: ESD protected gate, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SQA470EEJ-T1_GE3 за ціною від 28.84 грн до 46.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQA470EEJ-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70 |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| SQA470EEJ-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.25A; 13.6W; PowerPAK® SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.25A Power dissipation: 13.6W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
|
|
SQA470EEJ-T1_GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 2.25A PPAK SC70 |
товар відсутній |
|||||||||
| SQA470EEJ-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.25A; 13.6W; PowerPAK® SC70 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.25A Power dissipation: 13.6W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 56mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
товар відсутній |