Продукція > VISHAY > SQA401EEJ-T1_GE3
SQA401EEJ-T1_GE3

SQA401EEJ-T1_GE3 VISHAY

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.093 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+21.29 грн
500+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SQA401EEJ-T1_GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.093 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: 0, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SQA401EEJ-T1_GE3 за ціною від 11.88 грн до 48.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SQA401EEJ-T1_GE3 SQA401EEJ-T1_GE3 Виробник : VISHAY Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.093 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+40.92 грн
24+ 33.9 грн
100+ 21.29 грн
500+ 15.38 грн
Мінімальне замовлення: 20
SQA401EEJ-T1_GE3 SQA401EEJ-T1_GE3 Виробник : Vishay / Siliconix MOSFET -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L
на замовлення 23484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.54 грн
10+ 38.23 грн
100+ 26.85 грн
500+ 21.09 грн
1000+ 16.31 грн
3000+ 11.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
SQA401EEJ-T1_GE3 Виробник : VISHAY SQA401EEJ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.55A; 4.5W; PowerPAK® SC70
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.55A
Power dissipation: 4.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SQA401EEJ-T1_GE3 Виробник : VISHAY SQA401EEJ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.55A; 4.5W; PowerPAK® SC70
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.55A
Power dissipation: 4.5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 113mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній