![SQA401EEJ-T1_GE3 SQA401EEJ-T1_GE3](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/2886986-40.jpg)
SQA401EEJ-T1_GE3 VISHAY
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.093 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.093 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 21.29 грн |
500+ | 15.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SQA401EEJ-T1_GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.093 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: 0, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.68A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 13.6W, Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: TrenchFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 0, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SQA401EEJ-T1_GE3 за ціною від 11.88 грн до 48.54 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SQA401EEJ-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SQA401EEJ-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.68 A, 0.093 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SQA401EEJ-T1_GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET -20V Vds; +/-8V Vgs PowerPAK SC-70-6L |
на замовлення 23484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SQA401EEJ-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.55A; 4.5W; PowerPAK® SC70 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.55A Power dissipation: 4.5W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 113mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
SQA401EEJ-T1_GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.55A; 4.5W; PowerPAK® SC70 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.55A Power dissipation: 4.5W Case: PowerPAK® SC70 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 113mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |