SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 562.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW55N80C3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 850V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 54.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SPW55N80C3FKSA1 за ціною від 480.11 грн до 1538.58 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPW55N80C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 850V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SPW55N80C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 850V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2279 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SPW55N80C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 800V 54.9A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 32.6A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 3.3mA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7520 pF @ 100 V |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SPW55N80C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET N-Ch 850V 54.9A TO247-3 |
на замовлення 208 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
 |
SPW55N80C3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - SPW55N80C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 850 V, 54.9 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 850V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SPW55N80C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 850V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
SPW55N80C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 850V 54.9A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||||
| SPW55N80C3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 34.7A; Idm: 150A; 500W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 34.7A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 500W Case: PG-TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||||
| SPW55N80C3FKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 850V; 34.7A; Idm: 150A; 500W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 850V Drain current: 34.7A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 500W Case: PG-TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 85mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |