![SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/9/6/13/19/813/smn_/manual/ikw50n65es5.jpg)
SPW47N60CFDFKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 676.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW47N60CFDFKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 46A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.9mA, Supplier Device Package: PG-TO247-3-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції SPW47N60CFDFKSA1 за ціною від 921.9 грн до 993.68 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPW47N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
SPW47N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
![]() |
SPW47N60CFDFKSA1 Код товару: 104224 |
![]() |
товар відсутній
|
||||||
![]() |
SPW47N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
SPW47N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
SPW47N60CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Power dissipation: 417W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 83mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
![]() |
SPW47N60CFDFKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 322 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товар відсутній |
|||||
![]() |
SPW47N60CFDFKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 29A Power dissipation: 417W Case: PG-TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 83mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |