![SPW35N60C3FKSA1 SPW35N60C3FKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2014/7/6/0/23/36/647/smn_/manual/3to-247.jpg)
SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 401.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW35N60C3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPW35N60C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34.6 A, 0.081 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції SPW35N60C3FKSA1 за ціною від 411.95 грн до 872.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPW35N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 21.9A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.9mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60C3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.081ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW35N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SPW35N60C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |