![SPW32N50C3FKSA1 SPW32N50C3FKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/3/9/6/13/19/813/smn_/manual/ikw50n65es5.jpg)
SPW32N50C3FKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 247.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPW32N50C3FKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPW32N50C3FKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 560 V, 32 A, 0.11 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 560V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 284W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SPW32N50C3FKSA1 за ціною від 353.82 грн до 705.96 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPW32N50C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 284W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.8mA Supplier Device Package: PG-TO247-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPW32N50C3FKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 560V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 284W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SPW32N50C3FKSA1 Код товару: 131640 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
![]() |
SPW32N50C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SPW32N50C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SPW32N50C3FKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |