![SPP80P06PHXKSA1 SPP80P06PHXKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/2/12/4/53/36/143/smn_/manual/600v_p7_to220.png_1751746605.jpg)
SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP80P06PHXKSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - SPP80P06PHXKSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.021 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції SPP80P06PHXKSA1 за ціною від 104.13 грн до 366.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 64A, 10V Power Dissipation (Max): 340W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5.5mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5033 pF @ 25 V |
на замовлення 2164 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 161-170 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3 Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: -60V Drain current: -80A On-state resistance: 23mΩ |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 340W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 1171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -80A; 340W; PG-TO220-3 Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 340W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 Drain-source voltage: -60V Drain current: -80A On-state resistance: 23mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SPP80P06PHXKSA1 Код товару: 172970 |
![]() |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
SPP80P06PHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |