![SPP20N60S5XKSA1 SPP20N60S5XKSA1](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/2/12/4/53/36/143/smn_/manual/600v_p7_to220.png_1751746605.jpg)
SPP20N60S5XKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 4086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 187.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP20N60S5XKSA1 Infineon Technologies
Description: HIGH POWER_LEGACY, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPP20N60S5XKSA1 за ціною від 164.76 грн до 408.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SPP20N60S5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 2132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 3736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
на замовлення 1284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
SPP20N60S5XKSA1 | Виробник : Infineon |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
SPP20N60S5XKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |