SPP15P10PLHXKSA1 Infineon Technologies
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP15P10PLHXKSA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 128W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA, Supplier Device Package: PG-TO220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPP15P10PLHXKSA1 за ціною від 52.27 грн до 140.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SPP15P10PLHXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Drain current: -15A Drain-source voltage: -100V Power dissipation: 128W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.2Ω |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SPP15P10PLHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPP15P10PLHXKSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -15A; 128W; PG-TO220-3 Mounting: THT Case: PG-TO220-3 Drain current: -15A Drain-source voltage: -100V Power dissipation: 128W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: SIPMOS™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.2Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPP15P10PLHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPP15P10PLHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPP15P10PLHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SPP15P10PLHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
SPP15P10PLHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH 100V 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SPP15P10PLHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 100V 15A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1.54mA Supplier Device Package: PG-TO220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1490 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
SPP15P10PLHXKSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH >=100V |
товар відсутній |