Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > SPP11N60C3XKSA1
SPP11N60C3XKSA1

SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies

61058469320588dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPP11N60C3XKSA1 Infineon Technologies

Description: INFINEON - SPP11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції SPP11N60C3XKSA1 за ціною від 86.7 грн до 283.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 61058469320588dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
87+141.91 грн
Мінімальне замовлення: 87
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155.89 грн
10+ 91.85 грн
26+ 86.7 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 33A; 125W; PG-TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO220
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.06 грн
10+ 114.46 грн
26+ 104.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 61058469320588dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 10457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+187.46 грн
25+ 158.56 грн
100+ 140.66 грн
500+ 111.38 грн
1000+ 95.27 грн
5000+ 89.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies SPP_I_A11N60C3_E8185_Rev[1].3.1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a3043163797a6011638a2fdee01a3 Description: MOSFET N-CH 650V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+235.02 грн
50+ 179.35 грн
100+ 153.72 грн
500+ 128.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon_SPP_I_A11N60C3_DS_v03_03_EN-3363801.pdf MOSFETs N-Ch 600V 11A TO220-3
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.65 грн
25+ 197.93 грн
100+ 147.43 грн
500+ 130.5 грн
1000+ 105.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Виробник : INFINEON INFNS14196-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - SPP11N60C3XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+283.29 грн
10+ 200.2 грн
100+ 171.71 грн
500+ 138.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
SPP11N60C3XKSA1 SPP11N60C3XKSA1 Виробник : Infineon Technologies 61058469320588dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304412b4079.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній