![SPP02N60S5 SPP02N60S5](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/3735/MFG_MC78M05BTG.jpg)
SPP02N60S5 Infineon Technologies
![Infineon-SPP02N60C3-DS-v02_08-EN.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42d5b09485f](/images/adobe-acrobat.png)
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
на замовлення 5264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
577+ | 36.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SPP02N60S5 Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 25W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 80µA, Supplier Device Package: PG-TO220-3-1, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V.
Інші пропозиції SPP02N60S5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
SPP02N60S5 | Виробник : INFINEON |
![]() |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
SPP02N60S5 | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товар відсутній |