SPD04N60S5 INFINEON


Infineon-SPD_U04N60S5-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304318f3fe29011908be09e029c0 Виробник: INFINEON

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPD04N60S5 INFINEON

Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA, Supplier Device Package: PG-TO252-3-11, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPD04N60S5

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPD04N60S5 Виробник : INFINEON Infineon-SPD_U04N60S5-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304318f3fe29011908be09e029c0 07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPD04N60S5 Виробник : INFINEON Infineon-SPD_U04N60S5-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304318f3fe29011908be09e029c0 09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPD04N60S5 Виробник : INFINEON Infineon-SPD_U04N60S5-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304318f3fe29011908be09e029c0 TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPD04N60S5 SPD04N60S5 Виробник : Infineon Technologies spd_u04n60s5_rev.2.4.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
SPD04N60S5 SPD04N60S5 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPD_U04N60S5-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304318f3fe29011908be09e029c0 Description: MOSFET N-CH 600V 4.5A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 25 V
товар відсутній
SPD04N60S5 SPD04N60S5 Виробник : Infineon Technologies SPD_U04N60S5_Rev.2.5-337895.pdf MOSFET N-Ch 600V 4.5A DPAK-2 CoolMOS S5
товар відсутній