SPB80N06S08ATMA1

SPB80N06S08ATMA1 Infineon Technologies


spp_b_i80n06s-08green.pdf Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+491.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB80N06S08ATMA1 Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPB80N06S08ATMA1 за ціною від 528.79 грн до 528.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPB80N06S08ATMA1 SPB80N06S08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp_b_i80n06s-08green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+528.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SPB80N06S08ATMA1 SPB80N06S08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp_b_i80n06s-08green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
SPB80N06S08ATMA1 SPB80N06S08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies spp_b_i80n06s-08green.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
SPB80N06S08ATMA1 SPB80N06S08ATMA1 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPP_B_I80N06S-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b43242915789&ack=t Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
товар відсутній