SPB07N60C3

SPB07N60C3 Infineon Technologies


SPB07N60C3_Rev.2.5-72639.pdf Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 600V 7.3A D2PAK-2 CoolMOS C3
на замовлення 2287 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SPB07N60C3 Infineon Technologies

Description: SPB07N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA, Supplier Device Package: PG-TO263-3-2, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V.

Інші пропозиції SPB07N60C3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SPB07N60C3 Виробник : INFINEON Infineon-SPB07N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42df065491f 07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB07N60C3 Виробник : infineon Infineon-SPB07N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42df065491f to-263 09+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB07N60C3 Виробник : INFINEON Infineon-SPB07N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42df065491f TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPB07N60C3
Код товару: 156286
Infineon-SPB07N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42df065491f Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SPB07N60C3 SPB07N60C3 Виробник : Infineon Technologies Infineon-SPB07N60C3-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42df065491f Description: SPB07N60 - 600V COOLMOS N-CHANNE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 350µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 25 V
товар відсутній